8月27-29日，第五届紫外LED大会暨长治LED产业高质量发展座谈会将于山西长治举办。本届会议由长治市人民政府与中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）共同主办。
会议以“同芯共赢 聚力发展”为主题，将重点突出科学技术创新引领新质生产力发展，来自政产学研用产业链的国内外嘉宾、行业领军科学家、企业家、有突出贡献的公司代表等将聚焦国内外紫外LED最新技术探讨研究与产业化进展，围绕紫外LED工业固化、杀菌消毒、光医疗、光催化等领域创新应用，集中探讨工业水处理、家电、印刷、车载、3D打印等细分场景热点应用。
届时，中国科学院半导体研究所 赵德刚研究员将受邀出席论坛，并带来《氮化镓基紫外激光器技术》的主题报告，分享AlN材料的外延生长、Al原子的预反应以及Al和Ga原子的竞争机制、AlGaN材料的p型掺杂等相关研究成果，敬请关注！
赵德刚，博士，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师，2009年国家杰出青年科学基金获得者，2011年中国青年科技奖获得者，2017年国家百千万人才工程入选者，2018年国家中青年科学技术创新领军人才，2019年国家万人计划入选者，国家重点研发计划首席科学家，享受国务院政府特殊津贴专家，中国科学院特聘研究员。1994、1997年在电子科技大学分别获得学士、硕士学位，2000年在中国科学院半导体所获得博士学位，主要是做氮化镓基光电子材料与器件研究，主持了国家重点研发计划、国家自然科学基金等多个项目，研制出我国第一支氮化镓基紫外激光器、长寿命大功率蓝光激光器和紫外雪崩光电探测器，发表SCI论文390多篇，获得国家发明专利40多项。
报告摘要：氮化镓（GaN）基材料（包括InN、GaN、AlN及其合金）被称为第三代半导体，也是紫外激光器的理想材料，氮化镓基紫外激光器在紫外通信、紫外曝光、激光加工等领域有重要的应用价值。我们第一步研究了AlN材料的外延生长，掌握了Al原子迁移能力的操控方法，获得了台阶流生长的AlN材料；发现了反应室内残留的Ga原子影响成核，通过在生长前将反应室内部覆盖AlN薄膜，消除了残余GaN的影响，明显提高了生长的稳定性；提出了三步法外延AlN材料技术，在不同平片蓝宝石衬底上实现了高质量的AlN外延生长，还发现了氧杂质是AlN深能级发光的重要来源；研究Al原子的预反应以及Al和Ga原子的竞争机制，实现了AlGaN材料Al组分的有效控制；发现了Al原子的氧化机制，还发现点缺陷对AlGaN材料的掺杂补偿效应；研究了AlGaN材料的p型掺杂，通过抑制碳杂质浓度改善了p型；研究了紫外量子阱的生长，经过控制界面提高了发光特性。最后我们研制大功率紫外激光器，并发现了影响紫外激光器可靠性的重要的条件和物理机理，并为下一步的研究和发展提供了重要支撑。
1、注册费：会议全票1500元，联盟成员单位享受8折优惠，即：1200元。早鸟票价：非会员截止8月10日前报名享受8折优惠即1200元。（包含会议资料，8月27日晚餐，8月28日午餐、晚餐，8月29日午餐、晚餐）。
2、学生代表票价：1050元（与普通代表会议待遇相同，但须提交相关证件）。
特别提示：参会代表微信支付时请备注单位简称+姓名，谢谢合作！返回搜狐，查看更加多
